Création franco-russe: une mémoire interne «magnétique» voit le jour en Russie

Cette innovation est l'œuvre de physiciens russes et français: il s'agit d'un nouveau type de mémoire RAM qui allie la vitesse de fonctionnement élevée de la traditionnelle mémoire électronique et la basse consommation d'énergie des dispositifs magnétiques de stockage de données, signale Applied Physics Letters.

«L'industrie RAM est actuellement bien développée, les vitesses [de la mémoire RAM] s'accélèrent toujours, et pourtant il y a un inconvénient important qu'on ne réussit pas à surmonter aujourd'hui, qui est sa faible efficacité énergétique», a expliqué le directeur de l'Institut russe de l'ingénierie radio et électronique, Sergueï Nikitov.

«La cellule de mémoire électromagnétique que nous avons créé permettra de réduire la consommation d'énergie utilisée pour enregistrer et lire les informations de plusieurs dizaines de milliers de fois», a-t-il poursuivi.

Tandis que la mémoire semi-conductrice reste le seul type de mémoire «rapide» répandu, Nikitov et ses collègues ont fait un premier pas vers la fin du monopole de cette dernière en élaborant un modèle ultrarapide et pratique de mémoire, prénommé MELRAM.

Ces cellules de mémoire ont deux avantages majeurs: les informations peuvent y être stockées presque éternellement dès leurs premières lectures, et il est inutile de les mettre à jour régulièrement, comme c'est le cas pour une mémoire interne classique. De plus, les cellules peuvent être réduites à la taille des transistors, puisque la MELRAM ne nécessite pas de capteurs de champ magnétique externes.

Selon les auteurs de l'étude, la taille réduite des cellules de mémoire ne nuira pas à leur performance. Par conséquent, on peut prédire de bonnes perspectives pour la MELRAM dans le domaine de la technologie informatique, qui pose des exigences strictes concernant la consommation d'énergie.