Le groupe public russe des nanotechnologies Rosnano a annoncé mardi avoir signé un accord d'investissement de 300 M USD avec la société française Crocus Technology sur la production de mémoires d'ordinateur MRAM (Magnetic Random Access Memory) en Russie.
"Le projet de production de mémoires MRAM basées sur l'écriture assistée thermiquement (TAS: Thermally Assisted Switching) est un exemple d'utilisation des innovations mondiales pour le développement de l'industrie russe de la microélectronique. Ce sera la première entreprise russe capable de graver les mémoires sur des plaques de silicium de 300 mm", a indiqué le directeur exécutif de Rosnano, Dmitri Lissenkov.
Les deux sociétés créeront une coentreprise baptisée Crocus Nano Electronics (CNE) qui construira la première usine au monde de mémoires magnéto-résistives (non volatiles) TAS MRAM de 90 et 65 nanomètres de haute et moyenne densité. L'usine sera construite d'ici deux ans soit à Zelenograd, dans une banlieue de Moscou, soit à Kaliningrad, une région russe exclavée entre la Lituanie et la Pologne. Dans un premier temps, elle produira 500 mémoires par semaine. Par la suite, sa capacité de production atteindra 1.000 mémoires par semaine.
Rosnano compte investir 140 millions de dollars dans le projet.
Les spécialistes considèrent la mémoire magnéto-résistive MRAM comme la mémoire de l'avenir alliant rapidité, débit, capacité et non volatilité. Avec une consommation plus que réduite, elle résiste à la radiation et peut fonctionner à des températures aussi bien basses qu'élevées.
